碳化硅SiC外延

碳化硅（SiC）是第三代半導體材料的核心。相較于前兩代材料，碳化硅具有耐高壓、耐高溫、低損耗等優越性能，具有較高的導熱率、熔點等。基于碳化硅材料的半導體器件可應用于汽車、充電設備、便攜式電源、通信設備、機械臂、飛行器等多個工業領域。碳化硅材料的特性決定了它將會逐步取代傳統硅基，打開巨大的市場空間。

項目背景：

碳化硅外延設備

碳化硅外延片是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片

在晶體生長和晶片加工過程中，不可避免地會在表面或近表面產生缺陷，導致襯底的材料質量和表面質量下降，直接影響制得器件的性能。

而外延局的生長可以消除許多缺陷，使晶格排列整齊，表面形貌得到改觀。

外延片作為半導體原材料，位于半導體產業鏈上游，是半導體制造產業的支撐性行業。

襯底材料上通過CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）設備進行晶體外延生長、制成外延片。

技術難點:

逸維產品包括半導體、汽車新能源、生物醫藥、環保與3C生產線控制系統。

標準定制

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